最近,由浙江大学医学院第一和第二附属医院的研究人员共同开展的一项研究显示,阻塞性睡眠呼吸暂停综合征(OSAS)患者存在明显的记忆功能障碍,P300潜伏期的延长可作为评估OSAS记忆功能障碍的电生理学指标之一;慢性间歇低氧可能导致与记忆相关的脑功能区域发生损伤性变化。该研究发表在2011年第10期《中华结核和呼吸杂志》。
最近,由浙江大学医学院第一和第二附属医院的研究人员共同开展的一项研究显示,阻塞性睡眠呼吸暂停综合征(OSAS)患者存在明显的记忆功能障碍,P300潜伏期的延长可作为评估OSAS记忆功能障碍的电生理学指标之一;慢性间歇低氧可能导致与记忆相关的脑功能区域发生损伤性变化。该研究发表在2011年第10期《中华结核和呼吸杂志》。
潘志杰等研究人员对浙江大学医学院附属第一医院的30例OSAS患者(平均年龄42岁)和20名健康志愿者(对照组,平均年龄40岁)进行了分析。他们发现: OSAS组的记忆商评分为86分,与对照组比较有显著降低(P<0.01);OSAS组的P300检查显示Cz、Pz点的潜伏期分别为410 ms和409 ms,较对照组明显延长(P<0.01);Cz、Pz点的潜伏期与记忆商评分呈显著负相关(r=-0.581,-0.583,均P<0.01),与睡眠呼吸紊乱指数呈正相关,差异有统计学意义(r=0.653,0.64,均P<0.01);与平均血氧及最低SaO2呈负相关,差异有统计学意义(r=-0.755,-0.745,均P<0.01;r=-0.67,-0.656,均P<0.01).
研究链接:阻塞性睡眠呼吸暂停综合征事件相关电位和记忆功能的相关性
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